IMB10A |
RFQ for IMB10A |
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| Technical/Catalog Information | IMB10AT110 |
| Vendor | Rohm Semiconductor(VA) |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Power - Max | 300mW |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 104 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250A, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-457 |
| Packaging | Digi-Reel? |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IMB10AT110 IMB10AT110 IMB10AT110DKR ND IMB10AT110DKRND IMB10AT110DKR |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IMB10A | - | SOT23-6 | N/A |
Features |
| 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. |
Paramete |
Symbo |
Limits |
Unit |
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| Supply voltage | VCC |
-50 |
V |
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| Input voltage | VIN |
-40 |
V |
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6 |
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| Output current | IO |
-100 |
mA |
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IC (Max.) |
-100 |
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| Power dissipation |
EMB10, UMB10N | Pd |
150(TOTAL) | mW |
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| IMB10A | 300(TOTAL) |
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| Junction temperature | Tj | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Storage temperature | TSTG
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